한국과학기술연구원(원장 이병권)과 프랑스 원자력청(CEA) 산하 전자정보기술연구소(LETI, CEO Marie Semeria)는 2016년 7월 13일(수) 차세대반도체 연구개발을 위해 상호 협력을 강화하는 양해각서(MOU)를 체결하였다. 

KIST는 지난 2015년 1월 차세대반도체연구소를 신설하여 차세대 반도체의 핵심인 ‘초저전력 화합물반도체 기반 전자소자’ 개발연구를 통해 2018년까지 현재의 실리콘반도체보다 100배 이상 성능이 뛰어난 반도체를 개발하고 2022년경 이 기술을 이전하여 상용화한다는 목표로 연구를 진행하고 있다. 이외에 산업혁명 4.0시대와 사물인터넷 미래사회에 핵심 플랫폼 기술인 양자컴퓨팅 기술과 신경망모사 반도체칩 개발 등 다양한 반도체관련 연구를 수행하고 있다.    

LETI는 프랑스 원자력청 산하 연구소 중 하나로 주요 연구분야는 나노기반기술개발과 반도체 응용 공정을 기반으로 한 시스템 반도체, 무선디바이스/시스템 개발, 화합물반도체 집적 및 헬스케어 등이며 현재 실리콘 소자와 화합물 반도체를 효과적을 집적하는 기술을 기반으로 연구영역을 확대해 나가고 있다.  

양 기관은 이번 MOU를 통해 KIST와 LETI는 광전 3D 집적기술, 인공지능을 위한 신경모사 반도체, 차세대 비휘발성 메모리, 스핀트로닉스, 초저전력 반도체 등의 분야에 대해 공동연구를 추진할 계획이다.  

 KIST 차세대반도체연구소 장준연 소장은 “이번 LETI와의 MOU를 통해 국제협력 네트워크의 폭을 넓혀 선진국들이 주도하고 있는 차세대 반도체기술개발에 대한 글로벌 리더십을 조기에 확보할 수 있을 것으로 기대된다”고 밝혔다.

LETI의 나노전자소자기술부문 총괄책임자인 Carlo Reita는 “KIST는 지난 50년간 프랑스 LETI와 마찬가지로 한국 내 정부출연연구기관의 체계를 구축하는데 크게 기여하였다. 본 MOU는 산업의 생산성 제고, 기업의 혁신 가속화, 인류의 삶 향상을 위해 반드시 개발되어야 하는 필수적인 기술을 반영하고 있다”고 말했다. 

현재 실리콘(Si)으로 대표되는 반도체 기술은 지속적인 크기 축소에 따라 최근 10nm 소자기술이 개발되어 7nm로 여겨지는 Si반도체 미세화의 한계에 도달하고 있다. 미국, 일본, EU등 선진국들은 새로운 소재와 작동원리를 갖는 차세대 반도체 기술에서 주도권을 확보하기 위해 국가적인 노력을 기울이고 있으며 선진국가간 공동연구를 통해 후발주자와의 기술격차를 벌이는 전략을 사용하고 있다. 우리나라는 Si을 이용한 메모리소자분야에서는 소형화를 주도하며 시장과 기술을 선도하고 있으나 그 한계가 머지않아 차세대 기술에 대해 기업뿐만 아니라 국가가 큰 관심을 기울여야 할 중요한 시점이다.