바르고 오븐에서 굽기만 하면 태양전지 끝∼ KIST, 대량생산 가능한 박막태양전지 기술 개발 - 저비용 코팅 공정 통해 세계 최고 수준 고전압 성능 달성 - 제조비용 절감 및 대량생산에 한발 더 가까이 기존과 다른 획기적인 제조 공정을 사용하여 저렴하면서 고전압을 구현하는 박막태양전지 기술이 국내 연구진에 의해 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 청청에너지연구센터 민병권 박사팀은 프린팅 방법과 같은 저가형 공정을 이용하여 고전압을 낼 수 있는 박막태양전지 기술을 개발했다고 밝혔다. 태양전지 제조에 있어 용액을 통한 페이스트 코팅 제조 공정은 박막태양전지의 제조 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 핵심 기술로 알려져 있다. 기존의 진공 증착법 공정에서 필요한 고가의 진공장비가 필요없고, 인듐과 같은 고가 원료의 손실이 적으며 매우 빠른 공정 속도를 구현할 수 있기 때문이다. 또한, 고전압을 만들어 낼 수 있는 박막태양전지 기술은 태양전지 모듈에서 일반적으로 발생하는 전기 손실을 줄여 궁극적으로 모듈의 효율성을 향상시키는 중요 기술이다. 보통 태양전지는 단위셀들을 많이 연결할수록 저항이 커져 효율이 감소하게 되는데 단위셀 자체가 고전압을 발생하게 되면 그만큼 모듈에 들어가는 단위셀의 숫자가 줄어들어 전체적으로 효율 감소가 줄어들기 때문에 단위셀의 전압을 높이는 것이 태양전지 효율성 확보의 관건이라 할 수 있다. 고전압 박막태양전지를 구현하기 위해서는 넓은 띠간격(wide band-gap)을 갖는 반도체 박막을 제조해야 한다. 띠간격은 반도체에서 전자가 채워져 있는 띠와 그렇지 않은 띠 사이의 간격(에너지 차이)을 의미하는데 넓은 띠간격을 가질수록 태양전지가 고전압을 발생할 가능성이 커진다. 하지만 반도체 물질의 띠간격이 너무 크게 되면 그 만큼 빛 흡수 양이 적어져 효율이 감소하기 때문에 고전압이 발생하면서 효율이 최대가 될 수 있는 최적의 띠간격을 발견, 유지하는 것이 중요하다. KIST 민병권 박사팀은 기존에 사용하던 셀레늄(Se) 대신 황(S)으로 이루어진 CIGS(구리-인듐-갈륨-황 화합물) 박막을 간단한 특수 용액을 기판에 바르는 페이스트 코팅법으로 제조하여 띠간격 1.5eV 이상을 갖는 박막 구현에 성공하였으며 이를 적용한 태양전지 소자 제작을 통해 태양광-전기 변환 효율 8.3%, 개방전압 787mV 의, 현재 보고된 저가형 고전압 CIGS 박막태양전지 중 세계 최고 효율을 달성하였다. 독성이 강하고 폭발성이 큰 용매를 사용하거나, 글러브 박스(glove box)와 같은 제한된 공간에서만 실험이 가능했던 페이스트 코팅 공정을 알코올과 같은 비교적 안전한 용매를 이용하여 일반 공기중에서 구현이 가능하도록 개선하여 적용시킨 것이다. 페이스트 제조와 코팅 과정이 보통의 대기 중에서 이루어지게 되면 태양전지의 대면적화 및 대량 생산에 매우 유리하며 더 나아가 고전압이 요구되는 태양광-물분해 수소 제조의 광전극 기술로도 응용이 가능하다. 민병권 박사는 “이번에 개발된 박막태양전지 제조 기술은 저렴한 비용으로 대량생산이 가능하기 때문에 발전용뿐만 아니라 건물용 태양전지로도 적용이 가능하며, 유연성 기판에도 적용할 수 있어 다양하게 응용할 수 있다”며 “또한, 태양광을 이용하여 물을 분해해 수소를 생산하는 기술에는 2V 이상의 전압이 필요한데, 고전압을 낼 수 있는 이번 기술이 응용될 수 있다”고 말했다. 이번 연구성과는 KIST 기관고유사업 및 교육과학기술부 신기술융합형 성장동력사업의 연구비 지원으로 수행되었으며, 지난 1월 11일, 태양전지분야 최고 권위지인 ‘Progress in Photovoltaics' 온라인판에 게재되었다. ○ 연구진 <민병권 박사> ○ 사진설명 좌: 페이스트 코팅법에 의해 제조된 태양전지 박막 모습, 우: 고전압을 발생하는 저비용 박막태양전지 소자 특성

바르고 오븐에서 굽기만 하면 태양전지 끝∼ KIST, 대량생산 가능한 박막태양전지 기술 개발 - 저비용 코팅 공정 통해 세계 최고 수준 고전압 성능 달성 - 제조비용 절감 및 대량생산에 한발 더 가까이 기존과 다른 획기적인 제조 공정을 사용하여 저렴하면서 고전압을 구현하는 박막태양전지 기술이 국내 연구진에 의해 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 청청에너지연구센터 민병권 박사팀은 프린팅 방법과 같은 저가형 공정을 이용하여 고전압을 낼 수 있는 박막태양전지 기술을 개발했다고 밝혔다. 태양전지 제조에 있어 용액을 통한 페이스트 코팅 제조 공정은 박막태양전지의 제조 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 핵심 기술로 알려져 있다. 기존의 진공 증착법 공정에서 필요한 고가의 진공장비가 필요없고, 인듐과 같은 고가 원료의 손실이 적으며 매우 빠른 공정 속도를 구현할 수 있기 때문이다. 또한, 고전압을 만들어 낼 수 있는 박막태양전지 기술은 태양전지 모듈에서 일반적으로 발생하는 전기 손실을 줄여 궁극적으로 모듈의 효율성을 향상시키는 중요 기술이다. 보통 태양전지는 단위셀들을 많이 연결할수록 저항이 커져 효율이 감소하게 되는데 단위셀 자체가 고전압을 발생하게 되면 그만큼 모듈에 들어가는 단위셀의 숫자가 줄어들어 전체적으로 효율 감소가 줄어들기 때문에 단위셀의 전압을 높이는 것이 태양전지 효율성 확보의 관건이라 할 수 있다. 고전압 박막태양전지를 구현하기 위해서는 넓은 띠간격(wide band-gap)을 갖는 반도체 박막을 제조해야 한다. 띠간격은 반도체에서 전자가 채워져 있는 띠와 그렇지 않은 띠 사이의 간격(에너지 차이)을 의미하는데 넓은 띠간격을 가질수록 태양전지가 고전압을 발생할 가능성이 커진다. 하지만 반도체 물질의 띠간격이 너무 크게 되면 그 만큼 빛 흡수 양이 적어져 효율이 감소하기 때문에 고전압이 발생하면서 효율이 최대가 될 수 있는 최적의 띠간격을 발견, 유지하는 것이 중요하다. KIST 민병권 박사팀은 기존에 사용하던 셀레늄(Se) 대신 황(S)으로 이루어진 CIGS(구리-인듐-갈륨-황 화합물) 박막을 간단한 특수 용액을 기판에 바르는 페이스트 코팅법으로 제조하여 띠간격 1.5eV 이상을 갖는 박막 구현에 성공하였으며 이를 적용한 태양전지 소자 제작을 통해 태양광-전기 변환 효율 8.3%, 개방전압 787mV 의, 현재 보고된 저가형 고전압 CIGS 박막태양전지 중 세계 최고 효율을 달성하였다. 독성이 강하고 폭발성이 큰 용매를 사용하거나, 글러브 박스(glove box)와 같은 제한된 공간에서만 실험이 가능했던 페이스트 코팅 공정을 알코올과 같은 비교적 안전한 용매를 이용하여 일반 공기중에서 구현이 가능하도록 개선하여 적용시킨 것이다. 페이스트 제조와 코팅 과정이 보통의 대기 중에서 이루어지게 되면 태양전지의 대면적화 및 대량 생산에 매우 유리하며 더 나아가 고전압이 요구되는 태양광-물분해 수소 제조의 광전극 기술로도 응용이 가능하다. 민병권 박사는 “이번에 개발된 박막태양전지 제조 기술은 저렴한 비용으로 대량생산이 가능하기 때문에 발전용뿐만 아니라 건물용 태양전지로도 적용이 가능하며, 유연성 기판에도 적용할 수 있어 다양하게 응용할 수 있다”며 “또한, 태양광을 이용하여 물을 분해해 수소를 생산하는 기술에는 2V 이상의 전압이 필요한데, 고전압을 낼 수 있는 이번 기술이 응용될 수 있다”고 말했다. 이번 연구성과는 KIST 기관고유사업 및 교육과학기술부 신기술융합형 성장동력사업의 연구비 지원으로 수행되었으며, 지난 1월 11일, 태양전지분야 최고 권위지인 ‘Progress in Photovoltaics' 온라인판에 게재되었다. ○ 연구진 <민병권 박사> ○ 사진설명 좌: 페이스트 코팅법에 의해 제조된 태양전지 박막 모습, 우: 고전압을 발생하는 저비용 박막태양전지 소자 특성

바르고 오븐에서 굽기만 하면 태양전지 끝∼ KIST, 대량생산 가능한 박막태양전지 기술 개발 - 저비용 코팅 공정 통해 세계 최고 수준 고전압 성능 달성 - 제조비용 절감 및 대량생산에 한발 더 가까이 기존과 다른 획기적인 제조 공정을 사용하여 저렴하면서 고전압을 구현하는 박막태양전지 기술이 국내 연구진에 의해 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 청청에너지연구센터 민병권 박사팀은 프린팅 방법과 같은 저가형 공정을 이용하여 고전압을 낼 수 있는 박막태양전지 기술을 개발했다고 밝혔다. 태양전지 제조에 있어 용액을 통한 페이스트 코팅 제조 공정은 박막태양전지의 제조 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 핵심 기술로 알려져 있다. 기존의 진공 증착법 공정에서 필요한 고가의 진공장비가 필요없고, 인듐과 같은 고가 원료의 손실이 적으며 매우 빠른 공정 속도를 구현할 수 있기 때문이다. 또한, 고전압을 만들어 낼 수 있는 박막태양전지 기술은 태양전지 모듈에서 일반적으로 발생하는 전기 손실을 줄여 궁극적으로 모듈의 효율성을 향상시키는 중요 기술이다. 보통 태양전지는 단위셀들을 많이 연결할수록 저항이 커져 효율이 감소하게 되는데 단위셀 자체가 고전압을 발생하게 되면 그만큼 모듈에 들어가는 단위셀의 숫자가 줄어들어 전체적으로 효율 감소가 줄어들기 때문에 단위셀의 전압을 높이는 것이 태양전지 효율성 확보의 관건이라 할 수 있다. 고전압 박막태양전지를 구현하기 위해서는 넓은 띠간격(wide band-gap)을 갖는 반도체 박막을 제조해야 한다. 띠간격은 반도체에서 전자가 채워져 있는 띠와 그렇지 않은 띠 사이의 간격(에너지 차이)을 의미하는데 넓은 띠간격을 가질수록 태양전지가 고전압을 발생할 가능성이 커진다. 하지만 반도체 물질의 띠간격이 너무 크게 되면 그 만큼 빛 흡수 양이 적어져 효율이 감소하기 때문에 고전압이 발생하면서 효율이 최대가 될 수 있는 최적의 띠간격을 발견, 유지하는 것이 중요하다. KIST 민병권 박사팀은 기존에 사용하던 셀레늄(Se) 대신 황(S)으로 이루어진 CIGS(구리-인듐-갈륨-황 화합물) 박막을 간단한 특수 용액을 기판에 바르는 페이스트 코팅법으로 제조하여 띠간격 1.5eV 이상을 갖는 박막 구현에 성공하였으며 이를 적용한 태양전지 소자 제작을 통해 태양광-전기 변환 효율 8.3%, 개방전압 787mV 의, 현재 보고된 저가형 고전압 CIGS 박막태양전지 중 세계 최고 효율을 달성하였다. 독성이 강하고 폭발성이 큰 용매를 사용하거나, 글러브 박스(glove box)와 같은 제한된 공간에서만 실험이 가능했던 페이스트 코팅 공정을 알코올과 같은 비교적 안전한 용매를 이용하여 일반 공기중에서 구현이 가능하도록 개선하여 적용시킨 것이다. 페이스트 제조와 코팅 과정이 보통의 대기 중에서 이루어지게 되면 태양전지의 대면적화 및 대량 생산에 매우 유리하며 더 나아가 고전압이 요구되는 태양광-물분해 수소 제조의 광전극 기술로도 응용이 가능하다. 민병권 박사는 “이번에 개발된 박막태양전지 제조 기술은 저렴한 비용으로 대량생산이 가능하기 때문에 발전용뿐만 아니라 건물용 태양전지로도 적용이 가능하며, 유연성 기판에도 적용할 수 있어 다양하게 응용할 수 있다”며 “또한, 태양광을 이용하여 물을 분해해 수소를 생산하는 기술에는 2V 이상의 전압이 필요한데, 고전압을 낼 수 있는 이번 기술이 응용될 수 있다”고 말했다. 이번 연구성과는 KIST 기관고유사업 및 교육과학기술부 신기술융합형 성장동력사업의 연구비 지원으로 수행되었으며, 지난 1월 11일, 태양전지분야 최고 권위지인 ‘Progress in Photovoltaics' 온라인판에 게재되었다. ○ 연구진 <민병권 박사> ○ 사진설명 좌: 페이스트 코팅법에 의해 제조된 태양전지 박막 모습, 우: 고전압을 발생하는 저비용 박막태양전지 소자 특성

바르고 오븐에서 굽기만 하면 태양전지 끝∼ KIST, 대량생산 가능한 박막태양전지 기술 개발 - 저비용 코팅 공정 통해 세계 최고 수준 고전압 성능 달성 - 제조비용 절감 및 대량생산에 한발 더 가까이 기존과 다른 획기적인 제조 공정을 사용하여 저렴하면서 고전압을 구현하는 박막태양전지 기술이 국내 연구진에 의해 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 청청에너지연구센터 민병권 박사팀은 프린팅 방법과 같은 저가형 공정을 이용하여 고전압을 낼 수 있는 박막태양전지 기술을 개발했다고 밝혔다. 태양전지 제조에 있어 용액을 통한 페이스트 코팅 제조 공정은 박막태양전지의 제조 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 핵심 기술로 알려져 있다. 기존의 진공 증착법 공정에서 필요한 고가의 진공장비가 필요없고, 인듐과 같은 고가 원료의 손실이 적으며 매우 빠른 공정 속도를 구현할 수 있기 때문이다. 또한, 고전압을 만들어 낼 수 있는 박막태양전지 기술은 태양전지 모듈에서 일반적으로 발생하는 전기 손실을 줄여 궁극적으로 모듈의 효율성을 향상시키는 중요 기술이다. 보통 태양전지는 단위셀들을 많이 연결할수록 저항이 커져 효율이 감소하게 되는데 단위셀 자체가 고전압을 발생하게 되면 그만큼 모듈에 들어가는 단위셀의 숫자가 줄어들어 전체적으로 효율 감소가 줄어들기 때문에 단위셀의 전압을 높이는 것이 태양전지 효율성 확보의 관건이라 할 수 있다. 고전압 박막태양전지를 구현하기 위해서는 넓은 띠간격(wide band-gap)을 갖는 반도체 박막을 제조해야 한다. 띠간격은 반도체에서 전자가 채워져 있는 띠와 그렇지 않은 띠 사이의 간격(에너지 차이)을 의미하는데 넓은 띠간격을 가질수록 태양전지가 고전압을 발생할 가능성이 커진다. 하지만 반도체 물질의 띠간격이 너무 크게 되면 그 만큼 빛 흡수 양이 적어져 효율이 감소하기 때문에 고전압이 발생하면서 효율이 최대가 될 수 있는 최적의 띠간격을 발견, 유지하는 것이 중요하다. KIST 민병권 박사팀은 기존에 사용하던 셀레늄(Se) 대신 황(S)으로 이루어진 CIGS(구리-인듐-갈륨-황 화합물) 박막을 간단한 특수 용액을 기판에 바르는 페이스트 코팅법으로 제조하여 띠간격 1.5eV 이상을 갖는 박막 구현에 성공하였으며 이를 적용한 태양전지 소자 제작을 통해 태양광-전기 변환 효율 8.3%, 개방전압 787mV 의, 현재 보고된 저가형 고전압 CIGS 박막태양전지 중 세계 최고 효율을 달성하였다. 독성이 강하고 폭발성이 큰 용매를 사용하거나, 글러브 박스(glove box)와 같은 제한된 공간에서만 실험이 가능했던 페이스트 코팅 공정을 알코올과 같은 비교적 안전한 용매를 이용하여 일반 공기중에서 구현이 가능하도록 개선하여 적용시킨 것이다. 페이스트 제조와 코팅 과정이 보통의 대기 중에서 이루어지게 되면 태양전지의 대면적화 및 대량 생산에 매우 유리하며 더 나아가 고전압이 요구되는 태양광-물분해 수소 제조의 광전극 기술로도 응용이 가능하다. 민병권 박사는 “이번에 개발된 박막태양전지 제조 기술은 저렴한 비용으로 대량생산이 가능하기 때문에 발전용뿐만 아니라 건물용 태양전지로도 적용이 가능하며, 유연성 기판에도 적용할 수 있어 다양하게 응용할 수 있다”며 “또한, 태양광을 이용하여 물을 분해해 수소를 생산하는 기술에는 2V 이상의 전압이 필요한데, 고전압을 낼 수 있는 이번 기술이 응용될 수 있다”고 말했다. 이번 연구성과는 KIST 기관고유사업 및 교육과학기술부 신기술융합형 성장동력사업의 연구비 지원으로 수행되었으며, 지난 1월 11일, 태양전지분야 최고 권위지인 ‘Progress in Photovoltaics' 온라인판에 게재되었다. ○ 연구진 <민병권 박사> ○ 사진설명 좌: 페이스트 코팅법에 의해 제조된 태양전지 박막 모습, 우: 고전압을 발생하는 저비용 박막태양전지 소자 특성

바르고 오븐에서 굽기만 하면 태양전지 끝∼ KIST, 대량생산 가능한 박막태양전지 기술 개발 - 저비용 코팅 공정 통해 세계 최고 수준 고전압 성능 달성 - 제조비용 절감 및 대량생산에 한발 더 가까이 기존과 다른 획기적인 제조 공정을 사용하여 저렴하면서 고전압을 구현하는 박막태양전지 기술이 국내 연구진에 의해 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 청청에너지연구센터 민병권 박사팀은 프린팅 방법과 같은 저가형 공정을 이용하여 고전압을 낼 수 있는 박막태양전지 기술을 개발했다고 밝혔다. 태양전지 제조에 있어 용액을 통한 페이스트 코팅 제조 공정은 박막태양전지의 제조 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 핵심 기술로 알려져 있다. 기존의 진공 증착법 공정에서 필요한 고가의 진공장비가 필요없고, 인듐과 같은 고가 원료의 손실이 적으며 매우 빠른 공정 속도를 구현할 수 있기 때문이다. 또한, 고전압을 만들어 낼 수 있는 박막태양전지 기술은 태양전지 모듈에서 일반적으로 발생하는 전기 손실을 줄여 궁극적으로 모듈의 효율성을 향상시키는 중요 기술이다. 보통 태양전지는 단위셀들을 많이 연결할수록 저항이 커져 효율이 감소하게 되는데 단위셀 자체가 고전압을 발생하게 되면 그만큼 모듈에 들어가는 단위셀의 숫자가 줄어들어 전체적으로 효율 감소가 줄어들기 때문에 단위셀의 전압을 높이는 것이 태양전지 효율성 확보의 관건이라 할 수 있다. 고전압 박막태양전지를 구현하기 위해서는 넓은 띠간격(wide band-gap)을 갖는 반도체 박막을 제조해야 한다. 띠간격은 반도체에서 전자가 채워져 있는 띠와 그렇지 않은 띠 사이의 간격(에너지 차이)을 의미하는데 넓은 띠간격을 가질수록 태양전지가 고전압을 발생할 가능성이 커진다. 하지만 반도체 물질의 띠간격이 너무 크게 되면 그 만큼 빛 흡수 양이 적어져 효율이 감소하기 때문에 고전압이 발생하면서 효율이 최대가 될 수 있는 최적의 띠간격을 발견, 유지하는 것이 중요하다. KIST 민병권 박사팀은 기존에 사용하던 셀레늄(Se) 대신 황(S)으로 이루어진 CIGS(구리-인듐-갈륨-황 화합물) 박막을 간단한 특수 용액을 기판에 바르는 페이스트 코팅법으로 제조하여 띠간격 1.5eV 이상을 갖는 박막 구현에 성공하였으며 이를 적용한 태양전지 소자 제작을 통해 태양광-전기 변환 효율 8.3%, 개방전압 787mV 의, 현재 보고된 저가형 고전압 CIGS 박막태양전지 중 세계 최고 효율을 달성하였다. 독성이 강하고 폭발성이 큰 용매를 사용하거나, 글러브 박스(glove box)와 같은 제한된 공간에서만 실험이 가능했던 페이스트 코팅 공정을 알코올과 같은 비교적 안전한 용매를 이용하여 일반 공기중에서 구현이 가능하도록 개선하여 적용시킨 것이다. 페이스트 제조와 코팅 과정이 보통의 대기 중에서 이루어지게 되면 태양전지의 대면적화 및 대량 생산에 매우 유리하며 더 나아가 고전압이 요구되는 태양광-물분해 수소 제조의 광전극 기술로도 응용이 가능하다. 민병권 박사는 “이번에 개발된 박막태양전지 제조 기술은 저렴한 비용으로 대량생산이 가능하기 때문에 발전용뿐만 아니라 건물용 태양전지로도 적용이 가능하며, 유연성 기판에도 적용할 수 있어 다양하게 응용할 수 있다”며 “또한, 태양광을 이용하여 물을 분해해 수소를 생산하는 기술에는 2V 이상의 전압이 필요한데, 고전압을 낼 수 있는 이번 기술이 응용될 수 있다”고 말했다. 이번 연구성과는 KIST 기관고유사업 및 교육과학기술부 신기술융합형 성장동력사업의 연구비 지원으로 수행되었으며, 지난 1월 11일, 태양전지분야 최고 권위지인 ‘Progress in Photovoltaics' 온라인판에 게재되었다. ○ 연구진 <민병권 박사> ○ 사진설명 좌: 페이스트 코팅법에 의해 제조된 태양전지 박막 모습, 우: 고전압을 발생하는 저비용 박막태양전지 소자 특성

바르고 오븐에서 굽기만 하면 태양전지 끝∼ KIST, 대량생산 가능한 박막태양전지 기술 개발 - 저비용 코팅 공정 통해 세계 최고 수준 고전압 성능 달성 - 제조비용 절감 및 대량생산에 한발 더 가까이 기존과 다른 획기적인 제조 공정을 사용하여 저렴하면서 고전압을 구현하는 박막태양전지 기술이 국내 연구진에 의해 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 청청에너지연구센터 민병권 박사팀은 프린팅 방법과 같은 저가형 공정을 이용하여 고전압을 낼 수 있는 박막태양전지 기술을 개발했다고 밝혔다. 태양전지 제조에 있어 용액을 통한 페이스트 코팅 제조 공정은 박막태양전지의 제조 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 핵심 기술로 알려져 있다. 기존의 진공 증착법 공정에서 필요한 고가의 진공장비가 필요없고, 인듐과 같은 고가 원료의 손실이 적으며 매우 빠른 공정 속도를 구현할 수 있기 때문이다. 또한, 고전압을 만들어 낼 수 있는 박막태양전지 기술은 태양전지 모듈에서 일반적으로 발생하는 전기 손실을 줄여 궁극적으로 모듈의 효율성을 향상시키는 중요 기술이다. 보통 태양전지는 단위셀들을 많이 연결할수록 저항이 커져 효율이 감소하게 되는데 단위셀 자체가 고전압을 발생하게 되면 그만큼 모듈에 들어가는 단위셀의 숫자가 줄어들어 전체적으로 효율 감소가 줄어들기 때문에 단위셀의 전압을 높이는 것이 태양전지 효율성 확보의 관건이라 할 수 있다. 고전압 박막태양전지를 구현하기 위해서는 넓은 띠간격(wide band-gap)을 갖는 반도체 박막을 제조해야 한다. 띠간격은 반도체에서 전자가 채워져 있는 띠와 그렇지 않은 띠 사이의 간격(에너지 차이)을 의미하는데 넓은 띠간격을 가질수록 태양전지가 고전압을 발생할 가능성이 커진다. 하지만 반도체 물질의 띠간격이 너무 크게 되면 그 만큼 빛 흡수 양이 적어져 효율이 감소하기 때문에 고전압이 발생하면서 효율이 최대가 될 수 있는 최적의 띠간격을 발견, 유지하는 것이 중요하다. KIST 민병권 박사팀은 기존에 사용하던 셀레늄(Se) 대신 황(S)으로 이루어진 CIGS(구리-인듐-갈륨-황 화합물) 박막을 간단한 특수 용액을 기판에 바르는 페이스트 코팅법으로 제조하여 띠간격 1.5eV 이상을 갖는 박막 구현에 성공하였으며 이를 적용한 태양전지 소자 제작을 통해 태양광-전기 변환 효율 8.3%, 개방전압 787mV 의, 현재 보고된 저가형 고전압 CIGS 박막태양전지 중 세계 최고 효율을 달성하였다. 독성이 강하고 폭발성이 큰 용매를 사용하거나, 글러브 박스(glove box)와 같은 제한된 공간에서만 실험이 가능했던 페이스트 코팅 공정을 알코올과 같은 비교적 안전한 용매를 이용하여 일반 공기중에서 구현이 가능하도록 개선하여 적용시킨 것이다. 페이스트 제조와 코팅 과정이 보통의 대기 중에서 이루어지게 되면 태양전지의 대면적화 및 대량 생산에 매우 유리하며 더 나아가 고전압이 요구되는 태양광-물분해 수소 제조의 광전극 기술로도 응용이 가능하다. 민병권 박사는 “이번에 개발된 박막태양전지 제조 기술은 저렴한 비용으로 대량생산이 가능하기 때문에 발전용뿐만 아니라 건물용 태양전지로도 적용이 가능하며, 유연성 기판에도 적용할 수 있어 다양하게 응용할 수 있다”며 “또한, 태양광을 이용하여 물을 분해해 수소를 생산하는 기술에는 2V 이상의 전압이 필요한데, 고전압을 낼 수 있는 이번 기술이 응용될 수 있다”고 말했다. 이번 연구성과는 KIST 기관고유사업 및 교육과학기술부 신기술융합형 성장동력사업의 연구비 지원으로 수행되었으며, 지난 1월 11일, 태양전지분야 최고 권위지인 ‘Progress in Photovoltaics' 온라인판에 게재되었다. ○ 연구진 <민병권 박사> ○ 사진설명 좌: 페이스트 코팅법에 의해 제조된 태양전지 박막 모습, 우: 고전압을 발생하는 저비용 박막태양전지 소자 특성

바르고 오븐에서 굽기만 하면 태양전지 끝∼ KIST, 대량생산 가능한 박막태양전지 기술 개발 - 저비용 코팅 공정 통해 세계 최고 수준 고전압 성능 달성 - 제조비용 절감 및 대량생산에 한발 더 가까이 기존과 다른 획기적인 제조 공정을 사용하여 저렴하면서 고전압을 구현하는 박막태양전지 기술이 국내 연구진에 의해 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 청청에너지연구센터 민병권 박사팀은 프린팅 방법과 같은 저가형 공정을 이용하여 고전압을 낼 수 있는 박막태양전지 기술을 개발했다고 밝혔다. 태양전지 제조에 있어 용액을 통한 페이스트 코팅 제조 공정은 박막태양전지의 제조 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 핵심 기술로 알려져 있다. 기존의 진공 증착법 공정에서 필요한 고가의 진공장비가 필요없고, 인듐과 같은 고가 원료의 손실이 적으며 매우 빠른 공정 속도를 구현할 수 있기 때문이다. 또한, 고전압을 만들어 낼 수 있는 박막태양전지 기술은 태양전지 모듈에서 일반적으로 발생하는 전기 손실을 줄여 궁극적으로 모듈의 효율성을 향상시키는 중요 기술이다. 보통 태양전지는 단위셀들을 많이 연결할수록 저항이 커져 효율이 감소하게 되는데 단위셀 자체가 고전압을 발생하게 되면 그만큼 모듈에 들어가는 단위셀의 숫자가 줄어들어 전체적으로 효율 감소가 줄어들기 때문에 단위셀의 전압을 높이는 것이 태양전지 효율성 확보의 관건이라 할 수 있다. 고전압 박막태양전지를 구현하기 위해서는 넓은 띠간격(wide band-gap)을 갖는 반도체 박막을 제조해야 한다. 띠간격은 반도체에서 전자가 채워져 있는 띠와 그렇지 않은 띠 사이의 간격(에너지 차이)을 의미하는데 넓은 띠간격을 가질수록 태양전지가 고전압을 발생할 가능성이 커진다. 하지만 반도체 물질의 띠간격이 너무 크게 되면 그 만큼 빛 흡수 양이 적어져 효율이 감소하기 때문에 고전압이 발생하면서 효율이 최대가 될 수 있는 최적의 띠간격을 발견, 유지하는 것이 중요하다. KIST 민병권 박사팀은 기존에 사용하던 셀레늄(Se) 대신 황(S)으로 이루어진 CIGS(구리-인듐-갈륨-황 화합물) 박막을 간단한 특수 용액을 기판에 바르는 페이스트 코팅법으로 제조하여 띠간격 1.5eV 이상을 갖는 박막 구현에 성공하였으며 이를 적용한 태양전지 소자 제작을 통해 태양광-전기 변환 효율 8.3%, 개방전압 787mV 의, 현재 보고된 저가형 고전압 CIGS 박막태양전지 중 세계 최고 효율을 달성하였다. 독성이 강하고 폭발성이 큰 용매를 사용하거나, 글러브 박스(glove box)와 같은 제한된 공간에서만 실험이 가능했던 페이스트 코팅 공정을 알코올과 같은 비교적 안전한 용매를 이용하여 일반 공기중에서 구현이 가능하도록 개선하여 적용시킨 것이다. 페이스트 제조와 코팅 과정이 보통의 대기 중에서 이루어지게 되면 태양전지의 대면적화 및 대량 생산에 매우 유리하며 더 나아가 고전압이 요구되는 태양광-물분해 수소 제조의 광전극 기술로도 응용이 가능하다. 민병권 박사는 “이번에 개발된 박막태양전지 제조 기술은 저렴한 비용으로 대량생산이 가능하기 때문에 발전용뿐만 아니라 건물용 태양전지로도 적용이 가능하며, 유연성 기판에도 적용할 수 있어 다양하게 응용할 수 있다”며 “또한, 태양광을 이용하여 물을 분해해 수소를 생산하는 기술에는 2V 이상의 전압이 필요한데, 고전압을 낼 수 있는 이번 기술이 응용될 수 있다”고 말했다. 이번 연구성과는 KIST 기관고유사업 및 교육과학기술부 신기술융합형 성장동력사업의 연구비 지원으로 수행되었으며, 지난 1월 11일, 태양전지분야 최고 권위지인 ‘Progress in Photovoltaics' 온라인판에 게재되었다. ○ 연구진 <민병권 박사> ○ 사진설명 좌: 페이스트 코팅법에 의해 제조된 태양전지 박막 모습, 우: 고전압을 발생하는 저비용 박막태양전지 소자 특성

바르고 오븐에서 굽기만 하면 태양전지 끝∼ KIST, 대량생산 가능한 박막태양전지 기술 개발 - 저비용 코팅 공정 통해 세계 최고 수준 고전압 성능 달성 - 제조비용 절감 및 대량생산에 한발 더 가까이 기존과 다른 획기적인 제조 공정을 사용하여 저렴하면서 고전압을 구현하는 박막태양전지 기술이 국내 연구진에 의해 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 청청에너지연구센터 민병권 박사팀은 프린팅 방법과 같은 저가형 공정을 이용하여 고전압을 낼 수 있는 박막태양전지 기술을 개발했다고 밝혔다. 태양전지 제조에 있어 용액을 통한 페이스트 코팅 제조 공정은 박막태양전지의 제조 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 핵심 기술로 알려져 있다. 기존의 진공 증착법 공정에서 필요한 고가의 진공장비가 필요없고, 인듐과 같은 고가 원료의 손실이 적으며 매우 빠른 공정 속도를 구현할 수 있기 때문이다. 또한, 고전압을 만들어 낼 수 있는 박막태양전지 기술은 태양전지 모듈에서 일반적으로 발생하는 전기 손실을 줄여 궁극적으로 모듈의 효율성을 향상시키는 중요 기술이다. 보통 태양전지는 단위셀들을 많이 연결할수록 저항이 커져 효율이 감소하게 되는데 단위셀 자체가 고전압을 발생하게 되면 그만큼 모듈에 들어가는 단위셀의 숫자가 줄어들어 전체적으로 효율 감소가 줄어들기 때문에 단위셀의 전압을 높이는 것이 태양전지 효율성 확보의 관건이라 할 수 있다. 고전압 박막태양전지를 구현하기 위해서는 넓은 띠간격(wide band-gap)을 갖는 반도체 박막을 제조해야 한다. 띠간격은 반도체에서 전자가 채워져 있는 띠와 그렇지 않은 띠 사이의 간격(에너지 차이)을 의미하는데 넓은 띠간격을 가질수록 태양전지가 고전압을 발생할 가능성이 커진다. 하지만 반도체 물질의 띠간격이 너무 크게 되면 그 만큼 빛 흡수 양이 적어져 효율이 감소하기 때문에 고전압이 발생하면서 효율이 최대가 될 수 있는 최적의 띠간격을 발견, 유지하는 것이 중요하다. KIST 민병권 박사팀은 기존에 사용하던 셀레늄(Se) 대신 황(S)으로 이루어진 CIGS(구리-인듐-갈륨-황 화합물) 박막을 간단한 특수 용액을 기판에 바르는 페이스트 코팅법으로 제조하여 띠간격 1.5eV 이상을 갖는 박막 구현에 성공하였으며 이를 적용한 태양전지 소자 제작을 통해 태양광-전기 변환 효율 8.3%, 개방전압 787mV 의, 현재 보고된 저가형 고전압 CIGS 박막태양전지 중 세계 최고 효율을 달성하였다. 독성이 강하고 폭발성이 큰 용매를 사용하거나, 글러브 박스(glove box)와 같은 제한된 공간에서만 실험이 가능했던 페이스트 코팅 공정을 알코올과 같은 비교적 안전한 용매를 이용하여 일반 공기중에서 구현이 가능하도록 개선하여 적용시킨 것이다. 페이스트 제조와 코팅 과정이 보통의 대기 중에서 이루어지게 되면 태양전지의 대면적화 및 대량 생산에 매우 유리하며 더 나아가 고전압이 요구되는 태양광-물분해 수소 제조의 광전극 기술로도 응용이 가능하다. 민병권 박사는 “이번에 개발된 박막태양전지 제조 기술은 저렴한 비용으로 대량생산이 가능하기 때문에 발전용뿐만 아니라 건물용 태양전지로도 적용이 가능하며, 유연성 기판에도 적용할 수 있어 다양하게 응용할 수 있다”며 “또한, 태양광을 이용하여 물을 분해해 수소를 생산하는 기술에는 2V 이상의 전압이 필요한데, 고전압을 낼 수 있는 이번 기술이 응용될 수 있다”고 말했다. 이번 연구성과는 KIST 기관고유사업 및 교육과학기술부 신기술융합형 성장동력사업의 연구비 지원으로 수행되었으며, 지난 1월 11일, 태양전지분야 최고 권위지인 ‘Progress in Photovoltaics' 온라인판에 게재되었다. ○ 연구진 <민병권 박사> ○ 사진설명 좌: 페이스트 코팅법에 의해 제조된 태양전지 박막 모습, 우: 고전압을 발생하는 저비용 박막태양전지 소자 특성

우리 원은 지난 1월 7일부터 18일까지 2주간, 고교생을 대상으로 하는 제3차 「KIST 고등학생 신경과학 캠프」를 개최했다. 올해로 세 번째를 맞은 「KIST 고등학생 신경과학 캠프」 는 과학현장 체험기회가 적은 고등학생들에게 미래 성장동력으로 인식되고 있는 뇌과학 분야를 소개하고 실험과정에 직접 참여함으로써 국제적 수준의 체계적이고 실질적인 교육프로그램 경험을 제공하는 것으로 정평이 나있다. 이번 캠프는 우수 학생 발굴 및 육성을 위해 기능커넥토믹스연구단이 수행 중인 세계수준의 연구센터(World Class Institute) 인력양성 프로그램의 일환으로 기획되었으며, 미국 예일대, 듀크대 등에서 유치한 해외석학을 비롯해 세계최고 수준의 연구진들의 참여를 통해 이루어졌다. 치열한 경쟁을 뚫고 선발된 6명의 학생들은 2주간의 기간동안 평소 학교 정규 교육과정에서 접하기 힘들었던 신경과학분야에 관한 개념 및 이론의 습득과, 유전자부터 행동에까지 이르는 여러 실험들에 대한 실습을 통해 미래 과학도로서의 기초를 닦았다. 이 프로그램을 기획한 이창준 박사는 “이번 캠프와 같은 교육기부 프로그램을 더욱 활성화해 심각한 이공계 기피현상을 근본적으로 해소하고 창의적 이공계 인재를 육성, 과학기술을 국정운영의 중심으로 삼고자 하는 새 정부의 과학기술전략에 힘을 보탤 수 있도록 교육과정을 지속적으로 확대해 나갈 예정” 이라고 밝혔다. 한편, WCI 사업은 교육과학기술부가 한국의 과학기술을 세계수준으로 견인하기 위하여 추진 중인 사업으로 연간 70억씩 총 350억(2009년 - 2014년, 5년)을 집중적으로 투자하여 출연연구기관의 연구역량을 획기적으로 발전시키는 것을 목표로 하고 있다.

우리 원은 22일, 강남구 역삼동 한국과학기술회관에서 ‘과학기술의 미래, KIST의 도전’을 주제로 ‘미래전략 대토론회’를 개최했다. 과학기술계 인사들이 대거 참여한 이번 대토론회에서는 하성도 KIST 기술정책연구소장이 주제발표를 통해 정부출연(연)의 현황을 진단하고, 과학기술의 미래가 요구하는 KIST의 미래전략을 공유하였다. 이날 주제발표에서는 ‘미래를 창조하는 기술에 도전하고, 사회적 난제를 해결하는 글로벌 선도연구소로 도약’이 KIST 미래전략의 핵심으로 제시되었다. 또한 이러한 전략을 실현시키기 위해서는 타 출연(연) 등과의 연구협력이 필수적이라 판단하고, 자체 연구비의 30%까지를 대외에 개방하는 획기적인 구상을 발표하였다. 주제발표 이후 이어진 패널토론에서는 좌장을 맡은 김진현 세계평화포럼 이사장을 비롯하여 나도선 울산의대 교수, 박영아 과학기술나눔포럼 상임대표, 송하중 경희대 교수, 안현실 한국경제신문 논설위원, 유병규 현대경제연구원 경제연구본부장, 이영완 조선일보 차장 등 각계의 오피니언 리더들이 패널로 다수 참석해 KIST의 도전이 성공적으로 이루어지기 위한 적극적인 변화 노력과 정부 등의 지원방안에 대해서 심도있게 논의하였다. 이번 토론회는 미래창조과학부가 새로운 R&D 총괄부서로 발표되는 등 새정부의 과학기술정책이 구체화되는 시기에 출연(연)의 맏형격인 KIST가 미래의 출연(연)의 역할을 제시하였다는데 큰 의미가 있다.